近日,中国科学院上海光学精密机械研究所林楠研究员团队在极紫外(EUV)宽带光源研究中取得重大突破,提出了一种基于空间束缚激光锡等离子体的高效宽带极紫外光产生方案,实现了高达52.5%的转换效率,这是迄今为止报道的极紫外波段最高转换效率,相比商用高次谐波光源提升了约6个数量级。

研究背景
随着半导体芯片制造技术向更高制程迈进,极紫外光在光刻和芯片检测中的应用越来越重要。尤其是对于3纳米及以下制程的复杂三维结构,传统可见光检测方法已无法满足需求,而极紫外波段的光源能够提供更高的空间分辨率和更丰富的物理信息,成为先进节点半导体量测的关键技术。
研究成果
林楠团队开发的激光等离子体极紫外宽带光源实验系统,通过优化激光脉冲和靶材相互作用,显著提高了极紫外光的转换效率。实验表明,在10~20纳米波段,该方案的转换效率最高可达52.5%,远超现有技术。这一成果不仅为半导体制造中的高通量量测提供了新的技术支撑,也为未来芯片制造的精度提升奠定了基础。
应用前景
该研究为下一代半导体制造中的原位量测提供了高效光源解决方案,有望推动半导体产业向更高制程发展。此外,该技术还可应用于光刻胶缺陷检测、关键尺寸测量等多个领域,具有广阔的应用前景。
林楠研究员是国家海外高层次人才,曾在荷兰ASML公司担任研发科学家,长期从事集成电路制造光刻光源及芯片量检测光源的研发工作,拥有丰富的科研和工程经验。
该研究成果发表在《激光与光电子学进展》
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