在集成光电子学领域,高度紧凑的激光器是关键研究方向与核心需求。然而,器件小型化过程中面临一项严峻挑战:腔体尺寸缩减会引发严重的侧向泄漏与辐射损耗,导致关键性能指标——品质因子(Q因子)显著降低。传统连续谱束缚态(BIC)虽能在理想条件下实现低损耗,但在有限尺寸器件中,模式会偏离Γ点,丧失其非辐射与无色散特性,难以满足实际应用需求。
为解决这一难题,研究人员提出基于平带与多重连续谱束缚态(multi-BIC)的创新设计,成功实现超紧凑尺寸下的高性能激光输出。该设计通过平带与多重BIC的协同作用,在三个维度有效约束光场,为小型化激光器的性能突破提供了新思路。

创新设计:平带与多重BIC的协同机制
该激光器的核心在于独特的平带多重BIC腔体结构。其基底采用三阱共振声子GaAs/Al₀.₁₅Ga₀.₈₅As太赫兹量子级联激光器(QCL)晶圆,通过蚀刻周期性气孔形成三角形光子晶格,气孔则采用特殊的雏菊状形状。此结构设计基于精密的能带工程:通过强制孤立B模式与双重简并E₁、E₂模式形成偶然简并,在顶点处构建出与两个线性色散带(狄拉克锥)相交的独特平带。
平带的引入是增强面内约束的关键。平带在光子晶体能带结构中表现为近乎无色散的特性,能量不随波矢变化,对应光子局域化状态。其直接优势是超高群折射率——E₁平带的群折射率较传统B'模式高约10倍。群折射率的提升源于平带无色散特性产生的慢光效应,超低群速度显著增强模式反馈,即便在有限尺寸腔体中模式偏离Γ点,仍能实现优异的面内场约束,大幅减少侧向泄漏损耗。
多重BIC进一步解决了Q因子受限于尺寸与缺陷的问题。研究人员在Γ点周围构建一系列偶然BIC,并在特定位置创建具有发散Q因子的特殊点,形成更大的极化奇点核心。该设计在布里渊区建立起宽广的高Q区域,显著增强器件对系统无序、结构缺陷及光子有限尺寸效应的容忍度,有效抑制辐射与散射损耗。
实验验证:超紧凑尺寸下的优异性能
实验制备的器件呈现出优异的性能。以侧向尺寸仅294μm(约3λ,L=5a)的超紧凑腔体为例,在8.6K工作温度、10kHz重复频率及500ns脉宽的电脉冲激励下,其Q因子达约1440,为普通BIC模式的40倍;激射阈值低至0.19kA/cm²,边模抑制比(SMSR)约20dB,且在整个动态范围内保持稳定的单模工作。
这种高性能具有良好的可扩展性。L=9a的器件Q因子达1.0×10⁴,SMSR提升至23dB,峰值功率1.02mW,远场呈现圆柱矢量光束的甜甜圈状图案,光束发散角仅约15°;更大尺寸的L=17a器件,Q因子进一步攀升至5.7×10⁴,SMSR达25dB,仍保持稳定单模激射。
与普通C₄ᵥ-BIC对照器件相比,优势显著:对照器件Q因子仅约265,激射阈值高达0.28kA/cm²,整体边长约5λ(更大)且工作于多模状态。这充分验证了多重BIC辅助平带腔体在降低阈值、保持单模性能上的显著效果。
理论支撑与未来展望
通过COMSOLMultiphysics6.0有限元求解器进行仿真分析,进一步揭示了该设计的优越性。仿真结果表明,E₁平带模式的电场被紧密约束于腔体中心,而普通BIC的B'模式则有大量能量泄漏至图案化区域外,形成近平面波前。同时,对称保护BIC模式的拓扑荷计算为+2,从理论上支撑了其稳定性。
该设计的核心创新点在于:有效抑制有限尺寸效应引起的侧向泄漏与辐射损耗,同时降低制造缺陷导致的面外散射,实现卓越的电场约束。其突破不仅体现在高度紧凑(~3λ)的电泵浦QCL器件、超低激射阈值(~0.19kA/cm²)及优异的单模性能上,更在于其普适性——不仅限于太赫兹QCL,还可扩展至其他光子腔激光器,甚至通过介电常数调制拓展至近红外、可见光等其他波长范围。
在应用前景上,该技术为先进光电子学与集成光子学提供了有效途径,可满足片上通信、生物传感、量子信息等领域对低阈值、高性能激光源的需求。未来,基于这一设计的传感器、调制器、谐波信号发生器等光子器件,有望成为能效高、单片集成的超紧凑激光源的核心,推动集成光子学领域的进一步发展。
平带与多重BIC的协同设计,为小型化激光器的性能突破开辟了新路径,也为光场操控与约束提供了更丰富的理论与实践依据。
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